- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束,激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CY-MS500S-2TA1S雙靶磁控及蒸發(fā)復(fù)合鍍膜儀可用于電子產(chǎn)品、玻璃、陶瓷樣品、金屬等樣品的鍍膜。尤其適合實(shí)驗(yàn)室SEM(掃描電鏡)的樣品制備。
設(shè)備主要由不銹鋼真空腔體、磁控濺射靶,蒸發(fā)鍍膜裝置,放置樣品的樣品臺(tái),真空泵機(jī)組、真空測(cè)量規(guī)管,進(jìn)氣系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。
設(shè)計(jì)特色
1. 設(shè)備主機(jī)采用觸摸顯示屏操作,溫控表檢測(cè)。其數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)平臺(tái)。
2. 真空室采用下置靶設(shè)計(jì),樣品臺(tái)具有加熱和旋轉(zhuǎn)但是功能,可以使鍍膜效果更加均勻。
3. 設(shè)備真空獲得系統(tǒng)采用兩級(jí)真空泵組,前級(jí)泵為大抽速機(jī)械泵,有效縮從常壓至低真空的時(shí)間,主泵為渦輪分子泵,抽速高,真空獲取速度更快。 整體真空獲得系統(tǒng)干凈快速。
4. 真空腔體采用304不銹鋼制成,配有觀察窗口及擋板。造型美觀做工精細(xì),真空性能優(yōu)異。
5. 主要密封法蘭采用 CF系列高真空密封法蘭。真空腔體各接口均采用橡膠密封圈密封,真空性能優(yōu)良,能有效保證鍍膜質(zhì)量。
技術(shù)參數(shù):
磁控濺射頭
數(shù)量
2英寸 x2
冷卻方式
水冷
蒸發(fā)系統(tǒng)
蒸發(fā)源
鎢絲籃
*高溫度
1800℃
真空腔體
腔體尺寸
φ325mm X 600mm
觀察窗口
φ100mm
腔體材料
304不銹鋼
開啟方式
前開門式
真空系統(tǒng)
機(jī)械泵
旋片泵
抽氣接口
KF16
抽氣速率
1.1L/s
分子泵
渦輪分子泵
抽氣接口
CF150
抽氣速率
600L/s
排氣接口
KF40
真空測(cè)量
電阻規(guī)+電離規(guī)
極限真空
1.3x10-4Pa
供電電源
AC;220V 50/60Hz
電源配置
直流電源數(shù)量
1臺(tái)
輸出功率
≤1500W
輸出電壓
≤600W
響應(yīng)時(shí)間
<5ms
射頻電源數(shù)量
1臺(tái)
輸出功率
≤1500W
功率穩(wěn)定度
≤5W
射頻功率
13.56MHz
射頻穩(wěn)定度
±0.005%
膜厚監(jiān)控系統(tǒng)
膜厚儀測(cè)量分辨率
±0.03Hz
測(cè)量精度
±0.5%
測(cè)量上限
50000
測(cè)量速度
100~1000ms
水冷系統(tǒng)
水箱容積
9L
流量
10L/min
供氣系統(tǒng)
流量計(jì)類型
質(zhì)量流量計(jì)
量程
200sccm
氣體類型
Ar氣
其他
供電電壓
AC220V,50Hz
整機(jī)功率
4kw(主機(jī)+真空泵)
整機(jī)尺寸
1000x950x1300mm
整機(jī)重量
295kg
樣式一:尺寸150mm,加熱溫度≤500℃ 控溫精度±1℃, 旋轉(zhuǎn)速度1-20r/min
樣式二:尺寸φ150mm,高度 上下70mm精準(zhǔn)可調(diào),旋轉(zhuǎn)速度1~20rpm,加熱溫度 0~500℃