單靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的一款高性價(jià)比磁控濺射鍍膜設(shè)備，經(jīng)過緊湊化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積與性能的平衡，造型美觀功能齊全。整機(jī)均采用觸控屏控制，內(nèi)置一鍵式鍍膜程序，操作簡單易上手，是一款實(shí)驗(yàn)室制備薄膜的理想設(shè)備。

單靶為一支強(qiáng)磁靶，所配電源為 1臺(tái)1500W 直流電源，直流電源可用于金屬薄膜的制備。

鍍膜儀配有一路高精度質(zhì)量流量計(jì)，客戶若另有需求可以定制至多四路質(zhì)量流量計(jì)的氣路，以滿足復(fù)雜的氣體環(huán)境構(gòu)建需求；儀器標(biāo)配先進(jìn)的渦輪分子泵組，極限真空可達(dá) 1.0E-5Pa，同時(shí)另有其他類型的分子泵可供選購。分子泵的氣路由多個(gè)電磁閥控制，可以實(shí)現(xiàn)在不關(guān)泵的情況下打開腔體取出樣品，大大提高了您的工作效率。本產(chǎn)品可以選配一體機(jī)工控電腦對系統(tǒng)進(jìn)行控制，在電腦程序上可以實(shí)現(xiàn)真空泵組的控制、濺射電源的控制等絕大多數(shù)功能，可以進(jìn)一步提高您的實(shí)驗(yàn)效率。

應(yīng)用范圍:

該設(shè)備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜、氧化物薄膜、硬質(zhì)薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。

規(guī)格參數(shù)：

單靶直流磁控濺射鍍膜儀
樣品臺(tái)	外形尺寸	Φ360mm
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	1-20rpm可調(diào)
磁控靶槍	靶材平面	圓形平面靶
	濺射真空	0.1Pa～3Pa
	靶材直徑	100～101.6mm
	靶材厚度	3mm
	絕緣電壓	>2000V
	電纜規(guī)格	SL-16
	靶頭溫度	≦65℃
真空腔體	內(nèi)壁處理	電解拋光
	腔體尺寸	Φ500mm × 500mm
	腔體材料	304不銹鋼
	觀察窗口	石英窗口，直徑φ100mm
	開啟方式	側(cè)面開啟
氣體控制	流量控制	質(zhì)量流量計(jì)，量程0～100SCCM
	氣體種類	可選氬氣、氮?dú)?、氧氣等多種氣體
	調(diào)節(jié)閥類型	電磁調(diào)節(jié)閥
	調(diào)節(jié)閥靜止?fàn)顟B(tài)	常閉
	測量線性度	±1.5%F.S
	測量重復(fù)精度	±0.2%F.S
	測量響應(yīng)時(shí)間	≤8秒（T95）
	工作壓差范圍	0.3MPa
	閥體耐壓	3MPa
	工作環(huán)境溫度	（5～45）℃
	閥體材料	不銹鋼316L
	閥體漏率	1×10-8Pa.m3/s
	管道接頭	1/4″卡套接頭
	輸入輸出信號(hào)	0～5V
	供電電源	±15V（±5%）（＋15V  50mA,  －15V  200mA）
	外形尺寸mm	130（寬）×102（高）×28（厚）
	通訊接口	RS485 MODBUS協(xié)議
直流電源	電源功率	1500W
膜厚測量	電源要求	DC:5V（±10%） *大電流 400mA
	分辨率	±0.03Hz(5-6MHz),0.0136? /測量(鋁)
	測量精度	±0.5%厚度+1計(jì)數(shù)
	測量周期	100mS～1S/次（可設(shè)置）
	測量范圍	500,000 ? (鋁)
	晶體頻率	6MHz
	通訊接口	RS-232/485串行接口
	顯示位數(shù)	8位LED顯示
分子泵	分子泵抽速	1200L/S
	額定轉(zhuǎn)速	24000rpm
	振動(dòng)值	≦0.1um
	啟動(dòng)時(shí)間	5min
	停機(jī)時(shí)間	7min
	冷卻方式	水冷+風(fēng)冷
	冷卻水溫度	≦37℃
	冷卻水流速	1L/min
	安裝方向	垂直±5°
	抽氣接口	150CF
	排氣接口	KF40
前級(jí)泵	抽氣速率	VRD-16
	極限真空	1Pa
	供電電源	AC:220V/50Hz
	電機(jī)功率	400W
	噪音	≦56db
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF25
閥門	閘板閥	真空腔體與分子泵間裝有閘板閥
	切斷閥	分子泵與前級(jí)之間裝有切斷閥
	旁抽閥	真空腔體與前級(jí)之間裝有旁抽閥
	放氣閥	真空腔體上裝有電磁放氣閥
整機(jī)極限真空		≦5×10-4Pa
測試靶材		直徑4英寸厚度3mm的鎳靶材1塊