- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CY-VTC-3DC是專(zhuān)為非金屬薄膜鍍膜設(shè)計(jì)的三頭2"射頻等離子磁控濺射系統(tǒng)，主要用于多層氧化物薄膜，是新一代氧化物薄膜研究中性?xún)r(jià)比*高的鍍膜機(jī) . 直流磁控濺射選項(xiàng)可根據(jù)要求提供金屬薄膜沉積，實(shí)現(xiàn)三個(gè)直流、一個(gè)射頻/兩個(gè)直流和兩個(gè)射頻/一個(gè)直流濺射頭配置.
磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
|
項(xiàng)目 |
明細(xì) |
|
|
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-MSZ325-III-DCDCDC-SS |
|
|
供電電壓 |
AC220V，50Hz |
|
|
整機(jī)功率 |
6KW |
|
|
系統(tǒng)真空 |
≦5×10-4Pa |
|
|
樣品臺(tái) |
外形尺寸 |
φ150mm |
|
加熱溫度 |
≦600℃ |
|
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
|
可調(diào)轉(zhuǎn)速 |
≦20rpm |
|
|
磁控靶槍 |
靶材尺寸 |
直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm |
|
冷卻模式 |
循環(huán)水冷 |
|
|
水流大小 |
不小于10L/Min |
|
|
靶槍數(shù)量 |
3 |
|
|
真空腔體 |
腔體尺寸 |
直徑φ300mm，高度500mm |
|
腔體材質(zhì) |
SUU304不銹鋼 |
|
|
觀(guān)察窗口 |
直徑φ100mm |
|
|
開(kāi)啟方式 |
頂開(kāi)式 |
|
|
氣體控制 |
1路質(zhì)量流量計(jì)用于控制Ar流量，量程為:200SCCM |
|
|
真空系統(tǒng) |
配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S |
|
|
膜厚測(cè)量 |
可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ? |
|
|
濺射電源 |
配直流電源,功率500W*3 |
|
|
控制系統(tǒng) |
CYKY自研專(zhuān)業(yè)級(jí)控制系統(tǒng) |
|
|
設(shè)備尺寸 |
540 mm L x 540 mm W x 1000 mm H |
|
|
設(shè)備重量 |
145kg |
|
